| 型號： | ZXMN3A06DN8TA |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC |
| 產品目錄繪圖： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫歐 @ 9A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 796pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZXMN3A06DN8DKR |