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參數資料
型號: ZXMN3A06DN8TC
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 2/7頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
標準包裝: 2,500
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4.9A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫歐 @ 9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 796pF @ 25V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOP
包裝: 帶卷 (TR)
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