| 型號： | ZXMN3AMCTA |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫歐 @ 2.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-WDFN 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝： | 8-DFN（3x2） |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | ZXMN3AMCTADKR |