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參數(shù)資料
型號: ZXMN3F30FHTA
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3
其它圖紙: SOT-23
SOT-23 Top
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 47 毫歐 @ 3.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 318pF @ 15V
功率 - 最大: 950mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMN3F30FHDKR
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