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參數(shù)資料
型號(hào): ZXMN4A06GTA
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
其它圖紙: SOT-223
SOT-223 Footprint
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫歐 @ 4.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 770pF @ 40V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMN4A06GDKR
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