| 型號(hào)： | ZXMN6A25DN8TA |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 其它圖紙： | SO-8 Single Pin Out |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫歐 @ 3.6A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1063pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZXMN6A25DN8DKR |