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參數(shù)資料
型號: ZXMP10A18GTA
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
其它圖紙: SOT-223
SOT-223 Footprint
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫歐 @ 2.8A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 26.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1055pF @ 50V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝: SOT-223
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMP10A18GDKR
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