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10A030

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  • 10A030
    10A030

    10A030

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • Microsemi

  • 標準封裝

  • 08+

  • -
  • 10A030
    10A030

    10A030

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8865

  • microsemi

  • 高頻

  • 05+

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  • 絕對公司原裝現貨

  • 10A030
    10A030

    10A030

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 86808

  • Microsemi Corporation

  • 55FT

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 10A030
    10A030

    10A030

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • Microsemi

  • 標準封裝

  • 08+

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  • 全新原裝100%正品保證質量

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 10A030 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS BIPO 55FT-2
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
10A030 技術參數
  • 10A02-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:150pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A01-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 10A R-6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:150pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 10A01-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:150pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A015 功能描述:TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):24V 頻率 - 躍遷:2.7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:9dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值:6W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):750mA 工作溫度:200°C(TJ) 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:55FT 供應商器件封裝:55FT 標準包裝:1 10A009 功能描述:XFRMR LAMINATED THRU HOLE 制造商:tamura 系列:- 零件狀態:有效 類型:疊片核心 電壓 - 初級:230V 電壓 - 次級(滿負載):10V 電流 - 輸出(最大值):50mA 初級繞組:單一 次級繞組:單,多抽頭 中心抽頭:是 功率 - 最大值:- 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 大小/尺寸:29.46mm 長 x 28.45mm 寬 高度 - 安裝(最大值):27.94mm 電壓 - 隔離:4000Vrms 標準包裝:50 10AS016C3U19I2SG 10AS016C4U19E3LG 10AS016C4U19E3SG 10AS016C4U19I3LG 10AS016C4U19I3SG 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG
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