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1N4754AR

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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1N4754AR 技術參數
  • 1N4754APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4754APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4754AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4754AP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4754AHR1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4754CP/TR8 1N4754CPE3/TR12 1N4754CPE3/TR8 1N4754E3/TR13 1N4754G A0G 1N4754G R0G 1N4754P/TR12 1N4754P/TR8 1N4754PE3/TR12 1N4754PE3/TR8 1N4754UR-1 1N4755 G 1N4755A 1N4755A A0G 1N4755A B0G 1N4755A BK 1N4755A G 1N4755A R0G
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