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1N4755A-TR

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批號
價格
說明
操作

1N4755A-TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品質量保障電話010-62104...

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功能描述
穩壓二極管 43 Volt 1.3 Watt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N4755A-TR 技術參數

1N4755ATR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4755A-TP 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41G 標準包裝:1 1N4755A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 1N4755A-T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 基本零件編號:1N4755 標準包裝:1 1N4755A-T 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4755P/TR12 1N4755P/TR8 1N4755PE3/TR12 1N4755PE3/TR8 1N4756 G 1N4756A 1N4756A A0G 1N4756A B0G 1N4756A BK 1N4756A G 1N4756A R0G 1N4756A R1G 1N4756A TR 1N4756A_T50A 1N4756A_T50R 1N4756AE3/TR13 1N4756AHA0G 1N4756AHB0G