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1N5184

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY RECTFR 10KV 0.1A 2PIN S - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE RECT HIGH VOLTAGE S-PKG

1N5184 技術參數

1N5183 功能描述:DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:7500V（7.5kV）電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 7500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5182 功能描述:DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:5000V（5kV）電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5181 功能描述:DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:4000V（4kV）電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5062TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.15V @ 2.5A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5062TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.15V @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5194 1N5194UR 1N5195 1N5195UR 1N5196 1N5196UR 1N5221A 1N5221A (DO-35) 1N5221B 1N5221B (DO-35) 1N5221B A0G 1N5221B BK 1N5221B TR 1N5221B_T50R 1N5221BDO35 1N5221BDO35E3 1N5221B-T 1N5221BTA