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1N5226D

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制造商
Motorola Inc
功能描述

1N5226D 技術參數

1N5226C-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5226C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5226BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5226B-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5226BTR 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:28 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5227BTA 1N5227B-TAP 1N5227B-TP 1N5227BTR 1N5227B-TR 1N5227BUR-1 1N5227C-TAP 1N5227C-TR 1N5227DO35E3 1N5227TA 1N5228A 1N5228A (DO-35) 1N5228B 1N5228B (DO-35) 1N5228B A0G 1N5228B BK 1N5228B TR 1N5228B_S00Z