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1N5230B-G

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1N5230B-G 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5230BDO35 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5230B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5230B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5230B_T26A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5230B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5231A 1N5231A (DO-35) 1N5231B 1N5231B (DO-35) 1N5231B A0G 1N5231B BK 1N5231B TR 1N5231B_NT50A 1N5231B_S00Z 1N5231B_T26A 1N5231B_T50A 1N5231B_T50R 1N5231BDO35TR 1N5231B-T 1N5231BTA 1N5231B-TAP 1N5231B-TP 1N5231BTR
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