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1N5232B BK

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1N5232B BK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 有效
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 5.6V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 11 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 3V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 200°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 2,500
1N5232B BK 技術參數
  • 1N5232B A0G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5232B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5232B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5232A (DO-35)TR 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5231TA 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5232BTR 1N5232B-TR 1N5232BUR-1 1N5232C-TAP 1N5232C-TR 1N5232TA 1N5233A 1N5233A (DO-35) 1N5233B 1N5233B (DO-35) 1N5233B A0G 1N5233B BK 1N5233B TR 1N5233B_S00Z 1N5233B_T26A 1N5233B_T50R 1N5233BDO35 1N5233BDO35E3
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