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1N5230B_T26

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1N5230B_T26 技術參數
  • 1N5230B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5230B TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5230B BK 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5230B A0G 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5230B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5230B-TR 1N5230C-TAP 1N5230C-TR 1N5230TA 1N5231A 1N5231A (DO-35) 1N5231B 1N5231B (DO-35) 1N5231B A0G 1N5231B BK 1N5231B TR 1N5231B_NT50A 1N5231B_S00Z 1N5231B_T26A 1N5231B_T50A 1N5231B_T50R 1N5231BDO35TR 1N5231B-T
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