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1N5525B (DO35)

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DO-35 SD - Bulk

1N5525B (DO35) 技術參數

1N5525B 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 1N5524B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5524B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5523BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N5523B-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5529B 1N5529B (DO35) 1N5529BUR-1 1N5530B 1N5530B (DO35) 1N5530BUR-1 1N5531B 1N5531B (DO35) 1N5531BUR-1 1N5532B 1N5532B (DO35) 1N5532BUR-1 1N5533B 1N5533BUR-1 1N5534B 1N5534BUR-1 1N5535B 1N5535BUR-1