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1N5624GP/54

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N5624GP/54
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
DO-201AD
12+
-
全新原裝現(xiàn)貨庫存！400-800-030...

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您是不是要找： 1N5624GP-E3/54 1N5624GP-E3/73 1N5624GPHE3/54 1N5624-TAP 1N5624-TR 1N5625GP-E3/54 1N5625GP-E3/73 1N5625GPHE3/54 1N5625-TAP

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功能描述
整流器 3.0 Amp 200 Volt Glass Passivated
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復(fù)時間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N5624GP/54 技術(shù)參數(shù)

1N5623US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5623GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N5623GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5623 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5622US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N5625-TR 1N5626GP-E3/54 1N5626GP-E3/73 1N5626GPHE3/54 1N5626-TAP 1N5626-TR 1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632