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1N6012UR

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 33V 20% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk

1N6012UR 技術(shù)參數(shù)

1N6012D 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6012C 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6012B-TP 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6012B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6012B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6013UR 1N6013UR-1 1N6014A 1N6014B 1N6014B_T50A 1N6014B_T50R 1N6014C 1N6014D 1N6014UR 1N6014UR-1 1N6015A 1N6015B 1N6015B_T50A 1N6015B_T50R 1N6015C 1N6015D 1N6015UR 1N6015UR-1