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1N6012B_T50A

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  • 1N6012B_T50A
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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 29317

  • onsemi

  • DO-204AH, DO-35, Axi

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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  • 1
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  • 功能描述
  • 穩壓二極管 Zener Diode
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
1N6012B_T50A 技術參數
  • 1N6012B BK 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N6012B 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6012A 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6011UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N6011UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N6013B_T50A 1N6013B_T50R 1N6013B-TP 1N6013C 1N6013D 1N6013UR 1N6013UR-1 1N6014A 1N6014B 1N6014B_T50A 1N6014B_T50R 1N6014C 1N6014D 1N6014UR 1N6014UR-1 1N6015A 1N6015B 1N6015B_T50A
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