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1N6011UR-1

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功能描述
Zener Diode
制造商
microsemi corporation
系列
*
零件狀態(tài)
在售
標準包裝
1

1N6011UR-1 技術參數(shù)

1N6011UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6011D 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6011C 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6011B-TP 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6011B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6012UR-1 1N6013A 1N6013B 1N6013B BK 1N6013B_T50A 1N6013B_T50R 1N6013B-TP 1N6013C 1N6013D 1N6013UR 1N6013UR-1 1N6014A 1N6014B 1N6014B_T50A 1N6014B_T50R 1N6014C 1N6014D 1N6014UR