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1N6462USJANTX

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述

1N6462USJANTX 技術參數

1N6462US 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:6V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6462 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:6V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6461US/TR 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:齊納單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:56A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:100 1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N646-1 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US 1N6475 1N6475US