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1N6463SV

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  • 制造商
  • Microwave Semiconductor
  • 功能描述
1N6463SV 技術參數
  • 1N6463 功能描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:12V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:125A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N6462US 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:6V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:258A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6462 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:6V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:258A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N6461US/TR 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:56A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:100 1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:5.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:315A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US 1N6475 1N6475US 1N6476
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