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1PMT5956B/TR7

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 3W 200V 5% POWERMITE
1PMT5956B/TR7 技術參數
  • 1PMT5956B/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PMT5956AE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5956AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PMT5956A/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5956A/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PMT7.0AT1G 1PMT7.0AT3G 1PS00 1PS02 1PS03 1PS04 1PS06 1PS08 1PS09 1PS10SB82,315 1PS11 1PS16 1PS181,115 1PS181,135 1PS184,115 1PS184,135 1PS193,115 1PS193,135
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