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1SS406(TPL3)

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1SS406(TPL3) 技術參數

1SS405,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 50MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:50mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:3.9pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS404,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 300mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:46pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS403,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS402TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:50mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 1SS401(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 300mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:46pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS427,L3M 1SV228TPH3F 1SV229TPH3F 1SV233-TB-E 1SV234-TB-E 1SV239TPH3F 1SV246-TL-E 1SV249-TL-E 1SV250-TB-E 1SV251-TB-E 1SV263-TL-E 1SV264-TL-E 1SV267-TB-E 1SV270TPH3F 1SV277TPH3F 1SV279,H3F 1SV279TH3FT 1SV280,H3F