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1SV281(TPL3)

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1SV281(TPL3) 技術參數

1SV281(TPH3,F) 功能描述:DIODE VCO V/UHF 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:8.7pF @ 4V，1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV280,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 10V，1MHz 電容比:2.4 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向（最大值）:15V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV279TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產不同?Vr，F 時的電容:6.5pF @ 10V，1MHz 電容比:2.5 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向（最大值）:15V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV279,H3F 功能描述:PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR= 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售不同?Vr，F 時的電容:6.5pF @ 10V，1MHz 電容比:2.5 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向（最大值）:15V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:4,000 1SV277TPH3F 功能描述:DIODE VARICAP VCO UHF USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:2.35pF @ 4V，1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG