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1SV283FCT

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1SV283FCT 技術(shù)參數(shù)

1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:3pF @ 25V，1MHz 電容比:12.5 電容比條件:C2/C25 電壓 - 峰值反向（最大值）:34V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV281TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8.7pF @ 4V，1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV281(TPH3,F) 功能描述:DIODE VCO V/UHF 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8.7pF @ 4V，1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV280,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2pF @ 10V，1MHz 電容比:2.4 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向（最大值）:15V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV279TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:6.5pF @ 10V，1MHz 電容比:2.5 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向（最大值）:15V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG