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1SV305FCT

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1SV305FCT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1SV305FCT 技術參數

1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:2.35pF @ 4V，1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 25V，1MHz 電容比:12.5 電容比條件:C2/C25 電壓 - 峰值反向（最大值）:34V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV281TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產不同?Vr，F 時的電容:8.7pF @ 4V，1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG