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1T412

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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

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    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

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  • SANYO

  • SOT-523

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 865000

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  • 制造商
  • SONY
  • 制造商全稱
  • Sony Corporation
  • 功能描述
  • Variable Capacitance Diode
1T412 技術參數
  • 1T3G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1T3G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T3G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T2G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1T2G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1T7G A0G 1T7G A1G 1T7G R0G 1TS03 1TS08 1TS09 1TS16 1TW 1U00 1U03 1U08 1U09 1U16 1UHD844124FTC 1UHD904118FTC 1US03 1US08 1US09
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