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1N562

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1N562 技術參數

1N5619US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 12V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5619GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N5619GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 1N5619GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5619 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5621US 1N5622 1N5622C.TR 1N5622GP-E3/54 1N5622GP-E3/73 1N5622US 1N5623 1N5623GP-E3/54 1N5623GPHE3/54 1N5623US 1N5624GP-E3/54 1N5624GP-E3/73 1N5624GPHE3/54 1N5624-TAP 1N5624-TR 1N5625GP-E3/54 1N5625GP-E3/73 1N5625GPHE3/54