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參數資料
| 型號： | 100GAL12DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 100GAL12DN2 |
1
Nov-24-1997
BSM 100 GAL 120 DN2
IGBT Power Module
Single switch with chopper diode at collector
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Type
BSM 100 GAL 120 DN2
V
CE
1200V 150A
I
C
Package
HALF BRIDGE GAL 2 C67076-A2012-A70
Ordering Code
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
100
150
A
I
Cpuls
200
300
P
tot
800
+ 150
-40 ... + 125
W
T
j
T
stg
°C
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip-case,chopper
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
R
THJC
DC
V
is
-
-
-
-
≤
0.16
≤
0.3
≤
0.25
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 100GB120DN2 | IGBT Module |
| 100GB120DNK | IGBT Module |
| 100GB170DN2 | IGBT Module |
| 100GT120DN2 | IGBT Module |
| 100GXHH22 | DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 100GASD10 | 功能描述:瓷片電容器 1000pF 10Kvolts +80/-20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 100GAST25 | 功能描述:瓷片電容器 250pF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 100GAST50 | 功能描述:瓷片電容器 10000V 20% 500pF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 100GAT10 | 功能描述:瓷片電容器 10000V 20% 100pF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 100GAT25 | 功能描述:瓷片電容器 10000V 20% 250pF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數 DF: 端接類型:Radial 產品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
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