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參數資料
| 型號： | 1N4002G |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 1N4002G |
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
IR
@TA
=75 C
@TJ=125 C
1N4001G thru 1N4007G
FEATURES
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N
4003G
200
140
200
1N
4001G
50
35
50
1N
4007G
1000
700
1000
1N
4002G
100
70
100
1N
4006G
800
560
800
1N
4005G
600
420
600
1N
4004G
400
280
400
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ=25 C
1.0
30
1.1
5
50
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +150
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
C
Typical Thermal Resistance (Note 2)
R0JA
45
C/W
CJ
Typical Junction Capacitance (Note 1)
10
pF
uA
V
A
V
UNIT
V
All Dimensions in millimeter
Max.
Min.
DO-41
Dim.
A
D
C
B
25.4
5.20
-
4.10
0.71
2.00
2.70
0.86
DO-41
A
C
D
A
B
CHARACTERISTICS
SYMBOL
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts
FORWARD CURRENT - 1.0 Amperes
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 3, May-2008, KDDC01
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1.5KE16AT | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE16B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE36CAB | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE47AT | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE75CB | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4002-G | 功能描述:整流器 VR=100V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4002G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 |
| 1N4002G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N4002G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束 標準包裝:2,000 |
| 1N4002G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
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