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參數(shù)資料
型號: 1N4002G
廠商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 67K
代理商: 1N4002G
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
1N4001G thru 1N4007G
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
A
M
P
E
R
E
S
1
5
10
50
100
2
20
0
10
20
30
40
Pulse width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
A
M
P
E
R
E
S
25
75
100
125
150
0.6
0
50
0.2
1.0
175
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
AMBIENT TEMPERATURE , C
0.8
0.4
FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,(
u
A
)
20
40
120
140
0
0.1
1.0
100
10
TJ = 125 C
60
80
100
TJ = 25 C
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
10
1
100
10
1.0
4
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,(
A
)
0.2
0.4
1.2
1.4
0
0.1
1.0
10
0.6
0.8
1.0
0.01
1.8
1.6
TJ = 25 C
PULSE WIDTH 300us
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1.5KE16AT 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD
1.5KE16B 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD
1.5KE36CAB 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD
1.5KE47AT 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD
1.5KE75CB 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4002-G 功能描述:整流器 VR=100V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4002G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1N4002G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
1N4002G BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
1N4002G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
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