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參數資料
| 型號： | 1N4004G |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | 1N4004G |
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
1N4001G thru 1N4007G
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
A
M
P
E
R
E
S
1
5
10
50
100
2
20
0
10
20
30
40
Pulse width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
A
M
P
E
R
E
S
25
75
100
125
150
0.6
0
50
0.2
1.0
175
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
AMBIENT TEMPERATURE , C
0.8
0.4
FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,(
u
A
)
20
40
120
140
0
0.1
1.0
100
10
TJ = 125 C
60
80
100
TJ = 25 C
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
10
1
100
10
1.0
4
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,(
A
)
0.2
0.4
1.2
1.4
0
0.1
1.0
10
0.6
0.8
1.0
0.01
1.8
1.6
TJ = 25 C
PULSE WIDTH 300us
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4001G | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4004G | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4006G | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001S | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4001TA2B5 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4004-G | 功能描述:整流器 VR=400V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4004G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 |
| 1N4004G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N4004G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束 標準包裝:2,000 |
| 1N4004G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
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