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參數資料
型號: 1N4006
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 61K
代理商: 1N4006
MAXIMUM RATINGS& ELECTRICAL CHARACTERISTICS
FEATURES
Data Sheet No. GPDP-101-1B
MECHANICAL SPECIFICATION
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive loads, derate current by 20%.
Tel.: (310) 767-1052
Fax: (310) 767-7958
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
Gardena, CA 90248
U.S.A
18020 Hobart Blvd., Unit B
Average Forward Rectified Current@ T = 75 C
(Lead length= 0.375 in. (9.5 mm))
A
o
PARAMETER (TEST CONDITIONS)
Maximum DC Blocking Voltage
Peak Forward Surge Current (8.3 mSec single half sine wave
superimposed on rated load)
Maximum Forward Voltage at1 Amp DC
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Average DC Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Series Number
IRM
IRM(AV)
R
θJA
T T
J,
STG
IO
VRMS
VRRM
VRM
SYMBOL
RATINGS
VOLTS
°C/W
°C
AMPS
UNITS
VOLTS
A
VFM
IFSM
Typical Junction Capacitance (Note 2)
CJ
pF
200
400
140
280
200
800
560
800
400
1
50
1
30
5
50
30
26
-65 to +175
4.97fgpdp101
(1) Lead length= 0.375 in. (9.5 mm)
(2) Measured at 1MHz& applied reverse voltage of4 volts
NOTES:
@ T= 25 C
A
o
@ T = 100 C
A
o
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capacity
Easily cleaned with freon, alcohol, chlorothene and similar
solvents
Case: JEDEC DO-41, molded plastic (U/L Flammability Rating 94V-0)
Terminals: Plated axial leads
Soldering: Per MIL-STD 202 Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.012 Ounces (0.34 Grams)
H1
MECHANICAL DATA
ACTUAL SIZE OF
DO-41 PACKAGE
Sym
In
mm
Minimum
Maximum
BL
BD
LL
LD
1.00
0.028
In
mm
0.107
0.205
0.034
5.2
2.7
0.86
0.160
0.103
25.4
0.71
4.1
2.6
Color Band
Denotes
Cathode
LD (Dia)
BD (Dia)
LL
BL
LL
Maximum Full Cycle Reverse Current@ T = 75 C (Note 1)
L
o
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
50
35
50
100
70
100
600
420
600
1000
700
1000
SERIES 1N4001- 1N4007
DO- 41
相關PDF資料
PDF描述
1N5822 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5348B 11 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1.5KE11 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
1.5KE27 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
1N4002G 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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參數描述
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1N4006 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4006 BK 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000
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1N4006 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000
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