- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄90918 > 1N4007 (MICROSEMI CORP) 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 1N4007 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | 1N4007 |
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
1N4001
thru
1N4007
1 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-41
Features
Low Current Leakage
Metallurgical Bonded Construction
Low Cost
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.166
.205
4.10
5.20
B
.080
.107
2.00
2.70
C
.028
.034
.70
.90
D
1.000
---
25.40
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -50
°C to +175°C
Storage Temperature: -50
°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 20
°C/W Junction To Lead
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
1N4001
50V
35V
50V
1N4002
100V
70V
100V
1N4003
200V
140V
200V
1N4004
400V
280V
400V
1N4005
600V
420V
600V
1N4006
800V
560V
800V
1N4007
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
1.0A
TA = 75
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
30A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
1.1V
IFM = 1.0A;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5.0
A
50
A
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
15pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 2%
A
B
C
D
Cathode
Mark
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4003 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4005 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4006 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4013 | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N4056R | 275 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-9 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4007 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4007 A0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41 Ammo |
| 1N4007 BK | 功能描述:DIODE GPP 1A 1000V DO41 AXIAL 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 |
| 1N4007 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 1000V REEL 5K 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| 1N4007 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:新產品 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。