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參數資料
| 型號： | 1N4149T-80A |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 1N4149T-80A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4149T-85 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4149VE | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4149VG | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4149VH | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4149VM | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4149TR | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4150 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Vr/50V Io/200mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4150 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4150 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 |
| 1N4150 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SILICON DIODES 300MA |
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