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參數資料
| 型號： | 1N4688 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓4.7V，最大反向電流10μA的硅外延平面型齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管的穩定電壓（典型齊納電壓4.7V，最大反向電流10μA的的硅外延平面型齊納二極管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 1N4688 |
1N4678...1N4717
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85586
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Zener voltage specified at 50 A
Maximum delta V
Z
given from 10 A to 100 A
Very high stability
Low noise
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=100mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
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PDF描述 |
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