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參數資料
| 型號： | 1N4706 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓19V，最大反向電流0.05μA的硅外延平面型齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管的穩定電壓（典型齊納電壓19伏特，最大反向電流0.05μA的硅外延平面型齊納二極管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | 1N4706 |
1N4678...1N4717
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85586
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Zener voltage specified at 50 A
Maximum delta V
Z
given from 10 A to 100 A
Very high stability
Low noise
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=100mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 1N4706 TR | 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 |
| 1N4706(DO35) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Zener Voltage Regulator Diode[Qual Data] |
| 1N4706C | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 250mW Zener Diodes |
| 1N4706D | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 250mW Zener Diodes |
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