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參數資料
型號: 1N5230B
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩定電壓4.7V,穩定電流20mA的硅齊納二極管)
中文描述: 硅的Z -二極管的電壓穩定(穩定電壓4.7V,20mA的穩定電流的硅齊納二極管)
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 47K
代理商: 1N5230B
1N5221B...1N5267B
Vishay Telefunken
Rev. 2, 06-Aug-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85588
Silicon Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
75 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
C
C
T
L
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
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PDF描述
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