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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5256B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓30V，穩(wěn)定電流4.2mA的硅齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅的Z -二極管的穩(wěn)定電壓（30V的穩(wěn)定電壓，穩(wěn)定電流四點(diǎn)二毫安的硅齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 1N5256B |
1N5221B...1N5267B
Vishay Telefunken
Rev. 2, 06-Aug-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85588
Silicon Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
75 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
C
C
T
L
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
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