- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄364320 > 1N5257B (Vishay Intertechnology,Inc.) Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓33V，穩(wěn)定電流3.8mA的硅齊納二極管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5257B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓33V，穩(wěn)定電流3.8mA的硅齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅的Z -二極管的電壓穩(wěn)定（穩(wěn)定電壓33V的，穩(wěn)定電流三點(diǎn)八毫安的硅齊納二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 1N5257B |
1N5221B...1N5267B
Vishay Telefunken
Rev. 2, 06-Aug-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85588
Silicon Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
75 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
C
C
T
L
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5258B | Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓36V，穩(wěn)定電流3.4mA的硅齊納二極管) |
| 1N5259B | Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓39V，穩(wěn)定電流3.2mA的硅齊納二極管) |
| 1N5260B | Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓43V，穩(wěn)定電流3.0mA的硅齊納二極管) |
| 1N5261B | Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓47V，穩(wěn)定電流2.7mA的硅齊納二極管) |
| 1N5262B | Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓51V，穩(wěn)定電流2.5mA的硅齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5257B (DO-35) | 制造商:Aeroflex 功能描述:COMMERCIAL ZENER VOLTAGE REGUL 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:COMMERCIAL ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE DO-35 SD - Bulk |
| 1N5257B _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5257B A0G | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
| 1N5257B BK | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
| 1N5257B TR | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。