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參數資料
型號: 1N5260BT/R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 43 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 34K
代理商: 1N5260BT/R
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of April 1992
1996 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
1N5225B to 1N5267B
Voltage regulator diodes
M3D176
相關PDF資料
PDF描述
1N5262BT/R 51 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5232BT/R 5.6 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5240BT/R 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5258BT/R 36 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5265A(DO7) 62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
相關代理商/技術參數
參數描述
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1N5260C-TAP 功能描述:穩壓二極管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5260C-TR 功能描述:穩壓二極管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5260TA 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000
1N5261 制造商:n/a 功能描述:1N5261 S9H1B
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