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參數資料
| 型號： | 1N5260BT/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 43 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 1N5260BT/R |
1996 Apr 26
5
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage regulator diodes
1N5225B to 1N5267B
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-tp
thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm
300
K/W
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient lead length max.; see Fig.2 and note 1
380
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 1N5260C-TR | 功能描述:穩壓二極管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5260TA | 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
| 1N5261 | 制造商:n/a 功能描述:1N5261 S9H1B |
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