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參數資料
| 型號： | 1N5262BT/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 51 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 1N5262BT/R |
1996
Apr
26
3
Philips
Semiconductors
Product
specication
V
oltage
regulator
diodes
1N5225B
to
1N5267B
Per type
Tj =25 °C; unless otherwise specified.
TYPE No.
WORKING
VOLTAGE
VZ (V)(1)
at IZtest
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdif ()
at IZtest
TEMP. COEFF.
SZ (%/K)
at IZ(2)
TEST
CURRENT
IZtest (mA)
DIODE CAP.
Cd (pF)
at f = 1 MHz;
at VR =0V
REVERSE CURRENT
at REVERSE
VOLTAGE
NON-REPETITIVE PEAK
REVERSE CURRENT
IZSM (A)
tp = 100 s; Tamb =25 °C
IR (A)
VR
(V)
NOM.
MAX.
1N5225B
3.0
1600
0.075
20
450
50
1.0
6.0
1N5226B
3.3
1600
0.070
20
450
25
1.0
6.0
1N5227B
3.6
1700
0.065
20
450
15
1.0
6.0
1N5228B
3.9
1900
0.060
20
450
10
1.0
6.0
1N5229B
4.3
2000
±0.055
20
450
5
1.0
6.0
1N5230B
4.7
1900
±0.030
20
450
5
1.5
6.0
1N5231B
5.1
1600
±0.030
20
300
5
2.0
6.0
1N5232B
5.6
1600
+0.038
20
300
5
3.0
6.0
1N5233B
6.0
1600
+0.038
20
300
5
3.5
6.0
1N5234B
6.2
1000
+0.045
20
200
5
4.0
6.0
1N5235B
6.8
750
+0.050
20
200
3
5.0
6.0
1N5236B
7.5
500
+0.058
20
150
3
6.0
4.0
1N5237B
8.2
500
+0.062
20
150
3
6.5
4.0
1N5238B
8.7
600
+0.065
20
150
3
6.5
3.5
1N5239B
9.1
600
+0.068
20
150
3
7.0
3.0
1N5240B
10
600
+0.075
20
90
3
8.0
3.0
1N5241B
11
600
+0.076
20
85
2
8.4
2.5
1N5242B
12
600
+0.077
20
85
1
9.1
2.5
1N5243B
13
600
+0.079
9.5
80
0.5
9.9
2.5
1N5244B
14
600
+0.082
9.0
80
0.1
10.0
2.0
1N5245B
15
600
+0.082
8.5
75
0.1
11.0
2.0
1N5246B
16
600
+0.083
7.8
75
0.1
12.0
1.5
1N5247B
17
600
+0.084
7.4
75
0.1
13.0
1.5
1N5248B
18
600
+0.085
7.0
70
0.1
14.0
1.5
1N5249B
19
600
+0.086
6.6
70
0.1
14.0
1.5
1N5250B
20
600
+0.086
6.2
60
0.1
15.0
1.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5232BT/R | 5.6 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
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| 1N5265B(DO7) | 62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 1N5262C-TR | 功能描述:穩壓二極管 51 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5262TA | 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
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