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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5262BT/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 51 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 1N5262BT/R |
1996 Apr 26
6
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage regulator diodes
1N5225B to 1N5267B
GRAPHICAL DATA
handbook, full pagewidth
101
110
102
103
104
105
MBG930
102
10
1
103
tp (ms)
tp
T
δ =
0.02
0.01
≤0.001
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
δ = 1
Rth j-a
(K/W)
Fig.2 Thermal resistance from junction to ambient as a function of pulse duration.
Fig.3
Maximum permissible non-repetitive
peak reverse power dissipation
versus duration.
handbook, halfpage
MBG801
103
1
duration (ms)
PZSM
(W)
10
102
101
10
1
(1)
(2)
(1) Tj =25 °C (prior to surge).
(2) Tj = 150 °C (prior to surge).
Fig.4
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
handbook, halfpage
0.5
1.0
250
0
MBG803
125
0.75
VF (V)
IF
(mA)
Tj =25 °C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 1N5265B(DO7) | 62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 1N5262C-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 51 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5262C-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 51 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5262TA | 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
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