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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5407GP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts |
| 中文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 1N5407GP |
1N5400GP
THRU
1N5408GP
3 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-201AD
Features
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Low Forward Voltage
High Current Capability
Glass Passivated Junction
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Storage Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Maximum Thermal Resistance; 30
°
C/W Junction To Lead
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
.048
1.000
MM
DIM
A
B
C
D
MAX
.370
.250
.052
---
MIN
---
---
1.20
25.40
MAX
9.50
6.40
1.30
---
NOTE
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
1N5400GP
1N5401GP
1N5402GP
1N5404GP
1N5406GP
1N5407GP
1N5408GP
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
*Pulse test: Pulse width 300
μ
sec, Duty cycle 1%
I
F(AV)
3.0A
T
A
= 105
°
C
I
FSM
200A
8.3ms, half sine
V
F
1.1V
I
FM
= 3.0A;
T
J
= 25
°
C*
I
R
5.0
μ
A
50
μ
A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
C
J
40pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
A
B
C
D
D
Cathode
Mark
www.
mc c semi
.c om
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5408GP | 3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts |
| 1N5401-T3 | 3.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N5401-TB | 3.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N5407-T3 | 3.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N5407-TB | 3.0A SILICON RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5407GP-E3/54 | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,400 |
| 1N5407GP-E3/73 | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N5407GP-TP | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,200 |
| 1N5407G-T | 功能描述:整流器 3.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5407K | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON RECTIFIERS |
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