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參數資料
型號: 1N5819
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 56K
代理商: 1N5819
1/5
1N581x
July 2003 - Ed: 4A
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
Axial Power Schottky rectifier suited for Switch
Mode Power Supplies and high frequency DC to
DC converters. Packaged in DO41 these devices
are intended for use in low voltage, high frequency
inverters, free wheeling, polarity protection and
small battery chargers.
DESCRIPTION
n
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES
n
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES
n
EXTREMELY FAST SWITCHING
n
LOW FORWARD VOLTAGE DROP
n
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED
FEATURES AND BENEFITS
Symbol
Parameter
Value
Unit
1N5817 1N5818 1N5819
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
20
30
40
V
IF(RMS)
RMS forward current
10
A
IF(AV)
Average forward current
TL = 125°C
δ = 0.5
1A
IFSM
Surge non repetitive forward
current
tp=10ms
Sinusoidal
25
A
PARM
Repetitive peak avalanche
power
tp = 1s
Tj = 25°C
1200
900
W
Tstg
Storage temperature range
- 65 to + 150
°C
Tj
Maximum operating junction temperature *
150
°C
dV/dt
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/s
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
IF(AV)
1A
VRRM
40 V
Tj
150°C
VF (max)
0.45 V
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS
DO41
*:
dPtot
dTj
Rth j
a
<
1
()
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
相關PDF資料
PDF描述
1N5820U22 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1F2-J 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1F5-I 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4947H05 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4948U02 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
相關代理商/技術參數
參數描述
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