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參數(shù)資料
型號(hào): 1N5819
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 56K
代理商: 1N5819
1N581x
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5
10
15
20
25
30
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
1N5817
1N5818
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-1: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5817/1N5818).
0
5
10
15
20
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40
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-2: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5819).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.01
0.10
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10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5817/1N5818).
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0.01
0.10
1.00
10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-2: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5819).
1
10
100
1000
0
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10
15
20
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IFSM(A)
Number of cycles
F=50Hz
Tj initial=25°C
Fig. 10: Non repetitive surge peak forward current
versus number of cycles.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5820U22 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1F2-J 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1F5-I 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4947H05 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4948U02 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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參數(shù)描述
1N5819 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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1N5819 BK 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):600mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
1N5819 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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