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參數資料
| 型號： | 1N6624US |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 1.5 A, 900 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | 1N6624US |
POWER DISCRETES
1
www.semtech.com
1N6620 THRU 1N6625
Surface Mount(US)
Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
Features
Revision: February, 2010
Quick reference data
V
R = 200 - 1000V
I
F
= 1.5 - 2.0 A
t
rr
= 30 - 60ns
V
F = 1.6 -1.95V
Low reverse leakage current
Hermetically sealed in fused metal oxide
Good thermal shock resistance
Low forward voltage drop
Avalanche capability
Absolute Maximum Ratings
Electrical specifications @ T
A = 25°C unless otherwise specified.
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Description - Preliminary
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6625US | 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6626D3A-JQRS.GRPC | 1.75 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6626D3A-JQRS.SS | 1.75 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6626D3B-JQRS.GCDM | 1.75 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6639HRS | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N6625 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:A SD - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG |
| 1N6625-958-9342 | 制造商:RICHMO 功能描述: |
| 1N6625E3 | 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.95V @ 1.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:80ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應商器件封裝:A，軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 |
| 1N6625U | 制造商:SNSATA 功能描述: |
| 1N6625US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 1.1KV 1A 2-Pin A-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 1KV 1A 2PIN D-5A - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE RECT ULT FAST REC A-MELF |
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