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2N4118(A)

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2N4118(A) 技術參數

2N4117A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:30μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4117A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:30μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4117A 功能描述:DIE MOSFET N-CH 40V 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:25 2N4093UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4093 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/431 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:8mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:80 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4123TA 2N4123TAR 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF